mos测试开路用哪个数据

⑴ 苹果测试仪显示MOS管开路或未插好,输出短路保护是什么意思

MOS管在苹果测试仪中作电源开关调整管使用。是稳压电源关键元件。一但出现开路或未插好，电源部分输出电压就会大幅度升高，过压保护电路检测到后动作，使电源输出为零或很低的电压。

⑵ 如何利用万用表测量线路的短路、开路、断路

用欧姆x1档，测线路二端，如阻值近于零就是短路，如有一定量的阻值（根据线路中的负载而定），就并非短路，在电压一定时，阻值越小，流过线路的电流越大。用欧姆1k档或10k档，测线路二端，如果阻值无穷大就是开路

⑶ 晶体管图示仪用来测试mos管的时候，所有的参数都能从图上面度出来么

用图示仪来测量器件参数的误差相对比较大，就像你所说的那样，从显示屏上数格数得来的，同时由于图形显示线比较粗，读数精度远不如用尺子测量长度来得精确，但用于粗略的测量也是没有问题的，如果仪器校正好的话，用图示仪来测量满刻度误差也能保证在2%以下。图示仪的最大好处是有非常直观的图形。
至于你所说的测量出的参数与规格书有很大的差异，这一点需要弄清的是规格书上的参数大都是一个界限，并不是一个具体的参数值，只要测到的参数在规格书上的界限范围之内都是正常的。

⑷ mos管测试项目igss、BVDSS\ IDSS RDS(ON) DVDS EAS VF 分别代表什么意思求详细的解释 谢谢专家了 ！

igss:栅源漏电
BVDSS：漏源电压
IDSS：漏源漏电
RDS(ON)：导通电阻
DVDS：漏源接触
EAS：能量测试
VF：正向压降

⑸ MOS管到底怎么测

对于一只型号标示不清或无标志的三极管，要想分辨出它们的三个电极，也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。若测出均为几十至上百千欧的高电阻时，则红表笔接触的电极也为基极b，此管为NPN管。 在判别出管型和基极b的基础上，利用三极管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理确定集电极。任意假定一个电极为c极，另一个电极为e极。将万用表量程开关拨在R×1k电阻挡上。对于：PNP管，令红表笔接c极，黑表笔接e极，再用手同时捏一下管子的b、c极，但不能使b、c两极直接相碰，测出某一阻值。然后两表笔对调进行第二次测量，将两次测的电阻相比较，对于：PNP型管，阻值小的一次，红表笔所接的电极为集电极。对于NPN型管阻值小的一次，黑表笔所接的电极为集电极!

⑹ 一般功率mos管的导通电流参数如何选择

1. 是用N沟道还是P沟道 。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件 的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定 电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定 电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 2. 确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电 流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况 下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确 定，并随温度而显着变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施 加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电 气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
3.选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；
器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板 及其MOS管的散热。
雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。
4. 选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过 程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw= （Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

⑺ MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。

一、先确定MOS管的引脚：

1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；

(7)mos测试开路用哪个数据扩展阅读

MOS管的主要参数

1、开启电压VT

开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、 直流输入电阻RGS

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3.、漏源击穿电压BVDS

在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID。

4、栅源击穿电压BVGS

在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5、低频跨导gm

在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导；

gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6、导通电阻RON

导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7、极间电容

三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

CGS和CGD约为1～3pF，CDS约在0.1～1pF之间

8、低频噪声系数NF

噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

⑻ 如何用万用表检测MOS管是好是坏

以N沟道MOS场效应管5N60C为例，来详细介绍一下具体的测量方法。

1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

6.用万用表电阻档实测5N60C的D-S两极之间的反向电阻为67.2Ω。

上面为一个好的N沟道MOS场效应管的测量数据。对于P沟道MOS场效应管的测量方法与上述测量一样，只是万用表表笔需要调换一下极性。

(8)mos测试开路用哪个数据扩展阅读：

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconctor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconctance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。